R8002ANX
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| モデル | R8002ANX |
|---|---|
| メーカー | LAPIS Semiconductor |
| 説明 | MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 (US $) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.04 | $0.94 | $0.755 | $0.587 | $0.487 | |
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | R8002ANX | メーカー | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 63956 pcs | データシート | R8002ANX |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 1mA |
| Vgs(最大) | ±30V | 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220FM | シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4.3 Ohm @ 1A, 10V | 電力消費(最大) | 35W (Tc) |
| パッケージング | Bulk | パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | メーカーの標準リードタイム | 17 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 210pF @ 25V |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 12.7nC @ 10V | FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - | 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | 800V | 詳細な説明 | N-Channel 800V 2A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FM |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2A (Tc) |
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