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R8010ANX

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モデル R8010ANX
メーカー LAPIS Semiconductor
説明 MOSFET N-CH 800V 10A TO220
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 54721 pcs
価格
(US $)
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モデル R8010ANX メーカー LAPIS Semiconductor
説明 MOSFET N-CH 800V 10A TO220 フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 54721 pcs データシート R8010ANX
プロダクト ディスクリート半導体製品 同上@ VGS(TH)(最大) 5V @ 1mA
Vgs(最大) ±30V 技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220FM シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 560 mOhm @ 5A, 10V 電力消費(最大) 40W (Tc)
パッケージング Bulk パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
他の名前 R8010ANXCT
R8010ANXCT-ND
運転温度 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 17 Weeks 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1750pF @ 25V ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 62nC @ 10V
FETタイプ N-Channel FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V ソース電圧(VDSS)にドレイン 800V
詳細な説明 N-Channel 800V 10A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 10A (Tc)

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