CSD85312Q3E
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| モデル | CSD85312Q3E |
|---|---|
| メーカー | N/A |
| 説明 | MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | 2500 pcs | 5000 pcs | |||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.155 | $0.147 | ||||
- 製品仕様
Product parameter
| モデル | CSD85312Q3E | メーカー | N/A |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 142082 pcs | データシート | |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.4V @ 250µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-VSON (3.3x3.3) | シリーズ | NexFET™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 12.4 mOhm @ 10A, 8V | 電力 - 最大 | 2.5W |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
| 他の名前 | 296-37187-2 CSD85312Q3E-ND |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム | 35 Weeks | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2390pF @ 10V | ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 15.2nC @ 4.5V |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) Common Source | FET特長 | Logic Level Gate, 5V Drive |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | 詳細な説明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 20V 39A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 39A |
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