CSD86330Q3D
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| モデル | CSD86330Q3D |
|---|---|
| メーカー | N/A |
| 説明 | MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON |
| フリーステータス/ RoHS状態 | リード線付き/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | 2500 pcs | 5000 pcs | |||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.354 | $0.341 | ||||
- 製品仕様
Product parameter
| モデル | CSD86330Q3D | メーカー | N/A |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON | フリーステータス/ RoHS状態 | リード線付き/ RoHS準拠 |
| 株式 | 63916 pcs | データシート | |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.1V @ 250µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-LSON (3.3x3.3) | シリーズ | NexFET™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 9.6 mOhm @ 14A, 8V | 電力 - 最大 | 6W |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | パッケージ/ケース | 8-PowerLDFN |
| 他の名前 | 296-28216-2 | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム | 35 Weeks | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Contains lead / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 920pF @ 12.5V | ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) | FET特長 | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25V | 詳細な説明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 25V 20A 6W Surface Mount 8-LSON (3.3x3.3) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A | ベース部品番号 | CSD86330 |
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