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モデル 1N6628US
メーカー Microsemi
説明 DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF
フリーステータス/ RoHS状態 リード/ RoHS非対応
In Stock 5238 pcs
価格
(US $)
1 pcs10 pcs100 pcs
$7.808$7.096$6.032

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モデル 1N6628US メーカー Microsemi
説明 DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF フリーステータス/ RoHS状態 リード/ RoHS非対応
株式 5238 pcs データシート 1N6626US-1N6631US
プロダクト ディスクリート半導体製品 電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ 1.35V @ 2A
電圧 - 逆(VR)(最大) 660V サプライヤデバイスパッケージ A-MELF
速度 Fast Recovery = 200mA (Io) シリーズ -
逆回復時間(trrの) 30ns パッケージング Bulk
パッケージ/ケース SQ-MELF, A 動作温度 - ジャンクション -65°C ~ 150°C
装着タイプ Surface Mount 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Contains lead / RoHS non-compliant ダイオードタイプ Standard
詳細な説明 Diode Standard 660V 1.75A Surface Mount A-MELF 電流 - 漏れ@ Vrとリバース 2µA @ 660V
電流 - 平均整流(イオ​​) 1.75A Vrと、F @キャパシタンス 40pF @ 10V, 1MHz

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