1N6631
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| モデル | 1N6631 |
|---|---|
| メーカー | Microsemi |
| 説明 | DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL |
| フリーステータス/ RoHS状態 | リード/ RoHS非対応 |
| 価格 （US $） | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $3.983 | |||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | 1N6631 | メーカー | Microsemi |
|---|---|---|---|
| 説明 | DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL | フリーステータス/ RoHS状態 | リード/ RoHS非対応 |
| 株式 | 7732 pcs | データシート | 1N6626-31 |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.4V @ 1.4A |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 1100V | 速度 | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| シリーズ | - | 逆回復時間（trrの） | 60ns |
| パッケージング | Bulk | パッケージ/ケース | A, Axial |
| 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 150°C | 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ダイオードタイプ | Standard | 詳細な説明 | Diode Standard 1100V 1.4A Through Hole |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 4µA @ 1100V | 電流 - 平均整流（イオ） | 1.4A |
| Vrと、F @キャパシタンス | 40pF @ 10V, 1MHz |
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