APTM60A23FT1G
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| モデル | APTM60A23FT1G |
|---|---|
| メーカー | Microsemi |
| 説明 | MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | Get a quote | ||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | APTM60A23FT1G | メーカー | Microsemi |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 5813 pcs | データシート | APTM60A23UT1GPower Products Catalog |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 1mA |
| サプライヤデバイスパッケージ | SP1 | シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 276 mOhm @ 17A, 10V | 電力 - 最大 | 208W |
| パッケージング | Bulk | パッケージ/ケース | SP1 |
| 他の名前 | APTM60A23UT1G APTM60A23UT1G-ND |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Chassis Mount | 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5316pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 165nC @ 10V | FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET特長 | Standard | ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600V |
| 詳細な説明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 20A 208W Chassis Mount SP1 | 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A |
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