APTMC120AM16CD3AG
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| モデル | APTMC120AM16CD3AG |
|---|---|
| メーカー | Microsemi |
| 説明 | MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $188.234 | |||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | APTMC120AM16CD3AG | メーカー | Microsemi |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 205 pcs | データシート | APTMC120AM16CD3AG |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 5mA (Typ) |
| サプライヤデバイスパッケージ | D3 | シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 20 mOhm @ 100A, 20V | 電力 - 最大 | 625W |
| パッケージング | Bulk | パッケージ/ケース | D-3 Module |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Chassis Mount |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | メーカーの標準リードタイム | 32 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4750pF @ 1000V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 246nC @ 20V | FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET特長 | Silicon Carbide (SiC) | ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200V (1.2kV) |
| 詳細な説明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 131A (Tc) 625W Chassis Mount D3 | 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 131A (Tc) |
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