JAN1N6626U
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| モデル | JAN1N6626U |
|---|---|
| メーカー | Microsemi Corporation |
| 説明 | DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF |
| フリーステータス/ RoHS状態 | リード/ RoHS非対応 |
| 価格 （US $） | Get a quote | ||||
- 製品仕様
Product parameter
| モデル | JAN1N6626U | メーカー | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| 説明 | DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF | フリーステータス/ RoHS状態 | リード/ RoHS非対応 |
| 株式 | 4518 pcs | データシート | |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 電圧 - ピーク逆（最大） | Standard |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.75A | 電圧 - ブレークダウン | D-5B |
| シリーズ | Military, MIL-PRF-19500/590 | RoHSステータス | Bulk |
| 逆回復時間（trrの） | Fast Recovery = 200mA (Io) | もし、F @抵抗 | - |
| 偏光 | SQ-MELF, E | 他の名前 | 1086-19978 1086-19978-MIL |
| 動作温度 - ジャンクション | 30ns | 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | 製造元の部品番号 | JAN1N6626U |
| 拡張された説明 | Diode Standard 200V 1.75A Surface Mount D-5B | ダイオード構成 | 2µA @ 200V |
| 説明 | DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF | 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1.35V @ 2A |
| 電流 - 平均整流（イオ）（ダイオード当たり） | 200V | Vrと、F @キャパシタンス | -65°C ~ 150°C |
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