JAN1N6628US
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| モデル | JAN1N6628US |
|---|---|
| メーカー | Microsemi |
| 説明 | DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B |
| フリーステータス/ RoHS状態 | リード/ RoHS非対応 |
| 価格 （US $） | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $7.525 | |||||
- 製品仕様
Product parameter
| モデル | JAN1N6628US | メーカー | Microsemi |
|---|---|---|---|
| 説明 | DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B | フリーステータス/ RoHS状態 | リード/ RoHS非対応 |
| 株式 | 4346 pcs | データシート | |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.35V @ 2A |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 660V | サプライヤデバイスパッケージ | D-5B |
| 速度 | Fast Recovery = 200mA (Io) | シリーズ | Military, MIL-PRF-19500/590 |
| 逆回復時間（trrの） | 30ns | パッケージング | Bulk |
| パッケージ/ケース | E-MELF | 他の名前 | 1086-19987 1086-19987-MIL |
| 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 150°C | 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ダイオードタイプ | Standard | 詳細な説明 | Diode Standard 660V 1.75A Surface Mount D-5B |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 2µA @ 660V | 電流 - 平均整流（イオ） | 1.75A |
| Vrと、F @キャパシタンス | 40pF @ 10V, 1MHz |
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- モデル:
JAN1N6638 - メーカー:
Microsemi Corporation - 説明:
DIODE GEN PURP 150V 300MA AXIAL - 株式:
12086