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JAN1N6630US

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モデル JAN1N6630US
メーカー Microsemi
説明 DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF
フリーステータス/ RoHS状態 リード/ RoHS非対応
In Stock 4141 pcs
価格
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100 pcs
$7.638

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Product parameter

モデル JAN1N6630US メーカー Microsemi
説明 DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF フリーステータス/ RoHS状態 リード/ RoHS非対応
株式 4141 pcs データシート 1N6626US-1N6631US
プロダクト ディスクリート半導体製品 電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ 1.4V @ 1.4A
電圧 - 逆(VR)(最大) 900V サプライヤデバイスパッケージ D-5B
速度 Fast Recovery = 200mA (Io) シリーズ Military, MIL-PRF-19500/590
逆回復時間(trrの) 50ns パッケージング Bulk
パッケージ/ケース SQ-MELF, E 他の名前 1086-19995
1086-19995-MIL
動作温度 - ジャンクション -65°C ~ 150°C 装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited) 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Contains lead / RoHS non-compliant
ダイオードタイプ Standard 詳細な説明 Diode Standard 900V 1.4A Surface Mount D-5B
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 2µA @ 900V 電流 - 平均整流(イオ​​) 1.4A
Vrと、F @キャパシタンス -

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