STB100N10F7
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| モデル | STB100N10F7 |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 説明 | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.495 | |||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | STB100N10F7 | メーカー | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 69298 pcs | データシート | STx100N10F7 DataSheet |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V | 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | シリーズ | DeepGATE™, STripFET™ VII |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8 mOhm @ 40A, 10V | 電力消費（最大） | 150W (Tc) |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 他の名前 | 497-14527-2 STB100N10F7-ND |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム | 38 Weeks | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4369pF @ 50V | ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 61nC @ 10V |
| FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100V |
| 詳細な説明 | N-Channel 100V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK | 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) |
| ベース部品番号 | STB100N10 |
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