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STB100N6F7

STB100N6F7
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モデル STB100N6F7
メーカー STMicroelectronics
説明 MOSFET N-CH 60V 100A F7 D2PAK
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 69239 pcs
価格
(US $)
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モデル STB100N6F7 メーカー STMicroelectronics
説明 MOSFET N-CH 60V 100A F7 D2PAK フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 69239 pcs データシート STB100N6F7
プロダクト ディスクリート半導体製品 同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 250µA
Vgs(最大) ±20V 技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK シリーズ STripFET™ F7
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 5.6 mOhm @ 50A, 10V 電力消費(最大) 125W (Tc)
パッケージング Cut Tape (CT) パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前 497-15894-1 運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 38 Weeks 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1980pF @ 25V ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 30nC @ 10V
FETタイプ N-Channel FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V ソース電圧(VDSS)にドレイン 60V
詳細な説明 N-Channel 60V 100A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 100A (Tc)

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