STB11NM60-1
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| モデル | STB11NM60-1 |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 説明 | MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | Get a quote | ||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | STB11NM60-1 | メーカー | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 5068 pcs | データシート | ST(P,B)11NM60(FP,-1) |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±30V | 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | I2PAK | シリーズ | MDmesh™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 450 mOhm @ 5.5A, 10V | 電力消費（最大） | 160W (Tc) |
| パッケージング | Tube | パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 他の名前 | 497-5379-5 STB11NM60-1-ND |
運転温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1000pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 30nC @ 10V | FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - | 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650V | 詳細な説明 | N-Channel 650V 11A (Tc) 160W (Tc) Through Hole I2PAK |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Tc) |
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