STB11NM60N-1
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| モデル | STB11NM60N-1 |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 説明 | MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.74 | |||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | STB11NM60N-1 | メーカー | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 52159 pcs | データシート | STx11NM60N |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±25V | 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | I2PAK | シリーズ | MDmesh™ II |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 450 mOhm @ 5A, 10V | 電力消費（最大） | 90W (Tc) |
| パッケージング | Tube | パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 850pF @ 50V | ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 31nC @ 10V |
| FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600V |
| 詳細な説明 | N-Channel 600V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I2PAK | 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A (Tc) |
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