STPSC1006G-TR
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| モデル | STPSC1006G-TR |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 説明 | DIODE SILICON 600V 10A D2PAK |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | Get a quote | ||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | STPSC1006G-TR | メーカー | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| 説明 | DIODE SILICON 600V 10A D2PAK | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 4719 pcs | データシート | STPSC1006 |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 電圧 - ピーク逆（最大） | Silicon Carbide Schottky |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 10A | 電圧 - ブレークダウン | D²PAK |
| シリーズ | - | RoHSステータス | Tape & Reel (TR) |
| 逆回復時間（trrの） | No Recovery Time > 500mA (Io) | もし、F @抵抗 | 650pF @ 0V, 1MHz |
| 偏光 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 他の名前 | 497-11209-2 STPSC1006GTR |
| 動作温度 - ジャンクション | 0ns | 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | 製造元の部品番号 | STPSC1006G-TR |
| 拡張された説明 | Diode Silicon Carbide Schottky 600V 10A Surface Mount D²PAK | ダイオード構成 | 150µA @ 600V |
| 説明 | DIODE SILICON 600V 10A D2PAK | 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1.7V @ 10A |
| 電流 - 平均整流（イオ）（ダイオード当たり） | 600V | Vrと、F @キャパシタンス | -40°C ~ 175°C |
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