STW56N65M2-4
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| モデル | STW56N65M2-4 |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 説明 | MOSFET N-CH 650V I2PAKFP |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | 1 pcs | 30 pcs | 120 pcs | 510 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $3.451 | $2.829 | $2.553 | $2.139 | ||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | STW56N65M2-4 | メーカー | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 650V I2PAKFP | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 17685 pcs | データシート | STW56N65M2-4 |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±25V | 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-4L | シリーズ | MDmesh™ M2 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 62 mOhm @ 24.5A, 10V | 電力消費（最大） | 358W (Tc) |
| パッケージング | Tube | パッケージ/ケース | TO-247-4 |
| 他の名前 | 497-15373-5 | 運転温度 | 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3900pF @ 100V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 93nC @ 10V | FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - | 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650V | 詳細な説明 | N-Channel 650V 49A (Tc) 358W (Tc) Through Hole TO-247-4L |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 49A (Tc) |
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