STW70N60M2-4
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| モデル | STW70N60M2-4 |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 説明 | POWER MOSFET |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | 600 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $3.163 | |||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | STW70N60M2-4 | メーカー | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| 説明 | POWER MOSFET | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 10940 pcs | データシート | STW70N60M2 |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±25V | 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 | シリーズ | MDmesh™ M2 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 40 mOhm @ 34A, 10V | 電力消費（最大） | 450W (Tc) |
| パッケージング | Tube | パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | メーカーの標準リードタイム | 42 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5200pF @ 100V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 118nC @ 10V | FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - | 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600V | 詳細な説明 | N-Channel 600V 68A (Tc) 450W (Tc) Through Hole TO-247 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 68A (Tc) |
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