TPH3205WSB
OMRON AUTOMATION & SAFETY画像のみを参照してください。参考
としての製品情報を使用して、購入したすべてのTPH3205WSB
に1年の保証を提供するために仕様
Components-World.HKを確認してください。
としての製品情報を使用して、購入したすべてのTPH3205WSB
に1年の保証を提供するために仕様
Components-World.HKを確認してください。
オンラインお問い合わせ
| モデル | TPH3205WSB |
|---|---|
| メーカー | Transphorm |
| 説明 | MOSFET N-CH 650V 36A TO247 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | 180 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $9.387 | $8.683 | $7.979 | $7.415 | ||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | TPH3205WSB | メーカー | Transphorm |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 650V 36A TO247 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 4247 pcs | データシート | TPH3205WSB |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.6V @ 700µA |
| Vgs（最大） | ±18V | 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 | シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 60 mOhm @ 22A, 8V | 電力消費（最大） | 125W (Tc) |
| パッケージング | Tube | パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2200pF @ 400V | ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 42nC @ 8V |
| FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 8V | ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650V |
| 詳細な説明 | N-Channel 650V 36A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247 | 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 36A (Tc) |
- 関連製品
- 関連ニュース
関連製品
- モデル:
TPH2R306NH,L1Q - メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage - 説明:
MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV - 株式:
55000
- モデル:
TPH2010FNH,L1Q - メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage - 説明:
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP - 株式:
98937
- モデル:
TPH1R712MD,L1Q - メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage - 説明:
MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV - 株式:
104771
- モデル:
TPH2900ENH,L1Q - メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage - 説明:
MOSFET N-CH 200V 33A SOP8 - 株式:
78300
- モデル:
TPH2R608NH,L1Q - メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage - 説明:
MOSFET N-CH 75V 150A SOP8 - 株式:
71784
- モデル:
TPH2R506PL,L1Q - メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage - 説明:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR - 株式:
94816