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TPH3206LSB

TPH3206LSB
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モデル TPH3206LSB
メーカー Transphorm
説明 MOSFET N-CH 650V 16A PQFN
フリーステータス/ RoHS状態
In Stock 11349 pcs
価格
(US $)
1 pcs10 pcs60 pcs
$4.704$4.234$3.858
120 pcs300 pcs540 pcs
$3.481$3.199$2.917

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Product parameter

モデル TPH3206LSB メーカー Transphorm
説明 MOSFET N-CH 650V 16A PQFN フリーステータス/ RoHS状態
株式 11349 pcs データシート TPH3206L Series
プロダクト ディスクリート半導体製品 同上@ VGS(TH)(最大) 2.6V @ 500µA
Vgs(最大) ±18V 技術 GaNFET (Gallium Nitride)
サプライヤデバイスパッケージ PQFN (8x8) シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 180 mOhm @ 10A, 8V 電力消費(最大) 81W (Tc)
パッケージング Tube パッケージ/ケース 3-PowerDFN
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ) 装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 3 (168 Hours) 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 720pF @ 480V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 6.2nC @ 4.5V FETタイプ N-Channel
FET特長 - 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 8V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 650V 詳細な説明 N-Channel 650V 16A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8)
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 16A (Tc)

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