EPC2010
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| モデル | EPC2010 |
|---|---|
| メーカー | EPC |
| 説明 | TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | 500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $2.719 | |||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | EPC2010 | メーカー | EPC |
|---|---|---|---|
| 説明 | TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 14107 pcs | データシート | EPC2010 |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 3mA |
| Vgs（最大） | +6V, -4V | 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| サプライヤデバイスパッケージ | Die | シリーズ | eGaN® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 25 mOhm @ 6A, 5V | 電力消費（最大） | - |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | パッケージ/ケース | Die |
| 他の名前 | 917-1016-2 | 運転温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 540pF @ 100V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 7.5nC @ 5V | FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - | 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200V | 詳細な説明 | N-Channel 200V 12A (Ta) Surface Mount Die |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Ta) |
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