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EPC2015C

EPC2015C
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モデル EPC2015C
メーカー EPC
説明 TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 40956 pcs
価格
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2500 pcs
$0.899

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Product parameter

モデル EPC2015C メーカー EPC
説明 TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 40956 pcs データシート EPC2015C Datasheet
プロダクト ディスクリート半導体製品 同上@ VGS(TH)(最大) 2.5V @ 9mA
Vgs(最大) +6V, -4V 技術 GaNFET (Gallium Nitride)
サプライヤデバイスパッケージ Die シリーズ eGaN®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 4 mOhm @ 33A, 5V 電力消費(最大) -
パッケージング Tape & Reel (TR) パッケージ/ケース Die
他の名前 917-1083-2 運転温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 12 Weeks 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 980pF @ 20V ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 8.7nC @ 5V
FETタイプ N-Channel FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 5V ソース電圧(VDSS)にドレイン 40V
詳細な説明 N-Channel 40V 53A (Ta) Surface Mount Die 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 53A (Ta)

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