EPC2012CENGR
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| モデル | EPC2012CENGR |
|---|---|
| メーカー | EPC |
| 説明 | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.41 | |||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | EPC2012CENGR | メーカー | EPC |
|---|---|---|---|
| 説明 | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 96411 pcs | データシート | EPC2012C Datasheet |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 電圧 - テスト | 100pF @ 100V |
| 電圧 - ブレークダウン | Die Outline (4-Solder Bar) | 同上@ VGS（TH）（最大） | 100 mOhm @ 3A, 5V |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) | シリーズ | eGaN® |
| RoHSステータス | Tape & Reel (TR) | 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5A (Ta) |
| 偏光 | Die | 他の名前 | 917-EPC2012CENGRTR |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | 製造元の部品番号 | EPC2012CENGR |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1nC @ 5V | ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 2.5V @ 1mA |
| FET特長 | N-Channel | 拡張された説明 | N-Channel 200V 5A (Ta) Surface Mount Die Outline (4-Solder Bar) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | - | 説明 | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200V | 静電容量比 | - |
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- モデル:
EPC1PI8N - メーカー:
Altera (Intel® Programmable Solutions Group) - 説明:
IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP - 株式:
5054
