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EPC2022

EPC2022
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モデル EPC2022
メーカー EPC
説明 TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 17731 pcs
価格
(US $)
1 pcs10 pcs25 pcs100 pcs250 pcs
$3.251$2.926$2.666$2.406$2.211

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Product parameter

モデル EPC2022 メーカー EPC
説明 TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 17731 pcs データシート EPC2022 Datasheet
プロダクト ディスクリート半導体製品 同上@ VGS(TH)(最大) 2.5V @ 12mA
Vgs(最大) +6V, -4V 技術 GaNFET (Gallium Nitride)
サプライヤデバイスパッケージ Die シリーズ eGaN®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 3.2 mOhm @ 25A, 5V 電力消費(最大) -
パッケージング Original-Reel® パッケージ/ケース Die
他の名前 917-1133-6 運転温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 12 Weeks 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1500pF @ 50V FETタイプ N-Channel
FET特長 - 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 5V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 100V 詳細な説明 N-Channel 100V 60A (Ta) Surface Mount Die
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 60A (Ta)

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