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EPC2022ENGRT

EPC2022ENGRT
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モデル EPC2022ENGRT
メーカー EPC
説明 TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 15893 pcs
価格
(US $)
1 pcs10 pcs25 pcs100 pcs250 pcs
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Product parameter

モデル EPC2022ENGRT メーカー EPC
説明 TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 15893 pcs データシート EPC2022 Datasheet
プロダクト ディスクリート半導体製品 電圧 - テスト 1400pF @ 50V
電圧 - ブレークダウン Die 同上@ VGS(TH)(最大) 3.2 mOhm @ 25A, 5V
技術 GaNFET (Gallium Nitride) シリーズ eGaN®
RoHSステータス Cut Tape (CT) 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 90A (Ta)
偏光 Die 他の名前 917-1140-1
917-1140-1-ND
917-EPC2022ENGRCT\
運転温度 -40°C ~ 150°C (TJ) 装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited) 製造元の部品番号 EPC2022ENGRT
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 13nC @ 5V ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 2.5V @ 12mA
FET特長 N-Channel 拡張された説明 N-Channel 100V 90A (Ta) Surface Mount Die
ソース電圧(VDSS)にドレイン - 説明 TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 100V 静電容量比 -

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