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EPC2023ENG

EPC2023ENG
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モデル EPC2023ENG
メーカー EPC
説明 TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 4974 pcs
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モデル EPC2023ENG メーカー EPC
説明 TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 4974 pcs データシート EPC2023 Datasheet
プロダクト ディスクリート半導体製品 同上@ VGS(TH)(最大) 2.5V @ 20mA
Vgs(最大) +6V, -4V 技術 GaNFET (Gallium Nitride)
サプライヤデバイスパッケージ Die シリーズ eGaN®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 1.3 mOhm @ 40A, 5V 電力消費(最大) -
パッケージング Tray パッケージ/ケース Die
他の名前 917-EPC2023ENG
EPC2023ENGRC2
運転温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2300pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 20nC @ 5V FETタイプ N-Channel
FET特長 - 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 5V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 30V 詳細な説明 N-Channel 30V 60A (Ta) Surface Mount Die
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 60A (Ta)

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