EPC2103ENG
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| モデル | EPC2103ENG |
|---|---|
| メーカー | EPC |
| 説明 | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $4.10 | |||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | EPC2103ENG | メーカー | EPC |
|---|---|---|---|
| 説明 | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 7980 pcs | データシート | EPC2103 Datasheet |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 7mA |
| サプライヤデバイスパッケージ | Die | シリーズ | eGaN® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5.5 mOhm @ 20A, 5V | 電力 - 最大 | - |
| パッケージング | Tray | パッケージ/ケース | Die |
| 他の名前 | 917-EPC2103ENG EPC2103ENGRH7 |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 760pF @ 40V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.5nC @ 5V | FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET特長 | GaNFET (Gallium Nitride) | ソース電圧（VDSS）にドレイン | 80V |
| 詳細な説明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 23A Surface Mount Die | 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 23A |
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