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EPC2105ENG

EPC2105ENG
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モデル EPC2105ENG
メーカー EPC
説明 TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 12287 pcs
価格
(US $)
10 pcs30 pcs100 pcs
$4.078$3.772$3.467
250 pcs500 pcs1000 pcs
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Product parameter

モデル EPC2105ENG メーカー EPC
説明 TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 12287 pcs データシート EPC2105
プロダクト ディスクリート半導体製品 同上@ VGS(TH)(最大) 2.5V @ 2.5mA
サプライヤデバイスパッケージ Die シリーズ eGaN®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 14.5 mOhm @ 20A, 5V 電力 - 最大 -
パッケージング Bulk パッケージ/ケース Die
他の名前 EPC2105ENGR
917-EPC2105ENG
EPC2105ENGR
EPC2105ENGRH4
運転温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount 水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 300pF @ 40V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 2.5nC @ 5V FETタイプ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET特長 GaNFET (Gallium Nitride) ソース電圧(VDSS)にドレイン 80V
詳細な説明 Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A Surface Mount Die 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 9.5A, 38A

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