EPC2106
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| モデル | EPC2106 |
|---|---|
| メーカー | EPC |
| 説明 | TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.319 | |||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | EPC2106 | メーカー | EPC |
|---|---|---|---|
| 説明 | TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 59781 pcs | データシート | EPC2106 |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 600µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | Die | シリーズ | eGaN® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 70 mOhm @ 2A, 5V | 電力 - 最大 | - |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | パッケージ/ケース | Die |
| 他の名前 | 917-1110-2 | 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム | 14 Weeks | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 75pF @ 50V | ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 0.73nC @ 5V |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) | FET特長 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100V | 詳細な説明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 1.7A Surface Mount Die |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.7A |
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