1N5621US
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| モデル | 1N5621US |
|---|---|
| メーカー | Microsemi |
| 説明 | DIODE GEN PURP 800V 1A D5A |
| フリーステータス/ RoHS状態 | リード/ RoHS非対応 |
| 価格 （US $） | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $5.001 | |||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | 1N5621US | メーカー | Microsemi |
|---|---|---|---|
| 説明 | DIODE GEN PURP 800V 1A D5A | フリーステータス/ RoHS状態 | リード/ RoHS非対応 |
| 株式 | 7750 pcs | データシート | 1N5615US thru 1N5623US |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.6V @ 3A |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 800V | サプライヤデバイスパッケージ | D-5A |
| 速度 | Fast Recovery = 200mA (Io) | シリーズ | - |
| 逆回復時間（trrの） | 300ns | パッケージング | Bulk |
| パッケージ/ケース | SQ-MELF, A | 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 175°C |
| 装着タイプ | Surface Mount | 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム | 7 Weeks | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ダイオードタイプ | Standard | 詳細な説明 | Diode Standard 800V 1A Surface Mount D-5A |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 500nA @ 800V | 電流 - 平均整流（イオ） | 1A |
| Vrと、F @キャパシタンス | 20pF @ 12V, 1MHz |
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