1N5622US

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| モデル | 1N5622US |
|---|---|
| メーカー | Microsemi Corporation |
| 説明 | DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A |
| フリーステータス/ RoHS状態 | リード/ RoHS非対応 |
| 価格 (US $) | 153 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $2.194 | |||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | 1N5622US | メーカー | Microsemi Corporation |
|---|---|---|---|
| 説明 | DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A | フリーステータス/ RoHS状態 | リード/ RoHS非対応 |
| 株式 | 17354 pcs | データシート | 1N5614US thru 1N5622US |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 電圧 - ピーク逆(最大) | Standard |
| 電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1A | 電圧 - ブレークダウン | D-5A |
| シリーズ | - | RoHSステータス | Bulk |
| 逆回復時間(trrの) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | もし、F @抵抗 | - |
| 偏光 | SQ-MELF, A | 動作温度 - ジャンクション | 2µs |
| 装着タイプ | Surface Mount | 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム | 7 Weeks | 製造元の部品番号 | 1N5622US |
| 拡張された説明 | Diode Standard 1000V (1kV) 1A Surface Mount D-5A | ダイオード構成 | 500nA @ 1000V |
| 説明 | DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A | 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1.3V @ 3A |
| 電流 - 平均整流(イオ)(ダイオード当たり) | 1000V (1kV) | Vrと、F @キャパシタンス | -65°C ~ 200°C |
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