1N5622C.TR
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| モデル | 1N5622C.TR |
|---|---|
| メーカー | Semtech |
| 説明 | DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL |
| フリーステータス/ RoHS状態 |
| 価格 （US $） | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $2.209 | $1.971 | $1.616 | |||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | 1N5622C.TR | メーカー | Semtech |
|---|---|---|---|
| 説明 | DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL | フリーステータス/ RoHS状態 | |
| 株式 | 20111 pcs | データシート | 1N5614C thru 1N5622C |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.1V @ 1A |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 1000V | サプライヤデバイスパッケージ | Axial |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | シリーズ | - |
| 逆回復時間（trrの） | 2µs | パッケージング | Cut Tape (CT) |
| パッケージ/ケース | Axial | 他の名前 | 1N5622C.CT |
| 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 175°C | 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL） | Not Applicable | メーカーの標準リードタイム | 12 Weeks |
| ダイオードタイプ | Avalanche | 詳細な説明 | Diode Avalanche 1000V 2A Through Hole Axial |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 500nA @ 1000V | 電流 - 平均整流（イオ） | 2A |
| Vrと、F @キャパシタンス | 23pF @ 5V, 1MHz |
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