EPC2107ENGRT
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| モデル | EPC2107ENGRT |
|---|---|
| メーカー | EPC |
| 説明 | TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | 5000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.332 | |||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | EPC2107ENGRT | メーカー | EPC |
|---|---|---|---|
| 説明 | TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 60095 pcs | データシート | EPC2107 Datasheet |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | 9-BGA (1.35x1.35) | シリーズ | eGaN® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V | 電力 - 最大 | - |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | パッケージ/ケース | 9-VFBGA |
| 他の名前 | 917-EPC2107ENGRTR | 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 16pF @ 50V, 7pF @ 50V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V | FETタイプ | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| FET特長 | GaNFET (Gallium Nitride) | ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100V |
| 詳細な説明 | Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35) | 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.7A, 500mA |
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