EPC2110
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| モデル | EPC2110 |
|---|---|
| メーカー | EPC |
| 説明 | MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | 100 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.973 | $0.879 | $0.784 | $0.706 | ||
| 250 pcs | 500 pcs | 1000 pcs | |||
| $0.628 | $0.549 | $0.455 | |||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | EPC2110 | メーカー | EPC |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 79887 pcs | データシート | EPC2110 Datasheet |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 700µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | Die | シリーズ | eGaN® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 60 mOhm @ 4A, 5V | 電力 - 最大 | - |
| パッケージング | Cut Tape (CT) | パッケージ/ケース | Die |
| 他の名前 | 917-1152-1 | 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | メーカーの標準リードタイム | 14 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 80pF @ 60V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 0.8nC @ 5V | FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET特長 | GaNFET (Gallium Nitride) | ソース電圧（VDSS）にドレイン | 120V |
| 詳細な説明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 120V 3.4A Die | 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.4A |
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