APTM120DA30CT1G
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| モデル | APTM120DA30CT1G |
|---|---|
| メーカー | Microsemi |
| 説明 | MOSFET N-CH 1200V 31A SP1 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $24.252 | |||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | APTM120DA30CT1G | メーカー | Microsemi |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 1200V 31A SP1 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 1449 pcs | データシート | APTM120DA30CT1G |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 2.5mA |
| Vgs（最大） | ±30V | 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SP1 | シリーズ | POWER MOS 8™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 360 mOhm @ 25A, 10V | 電力消費（最大） | 657W (Tc) |
| パッケージング | Bulk | パッケージ/ケース | SP1 |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Chassis Mount |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | メーカーの標準リードタイム | 32 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 14560pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 560nC @ 10V | FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - | 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200V | 詳細な説明 | N-Channel 1200V 31A (Tc) 657W (Tc) Chassis Mount SP1 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 31A (Tc) |
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