APTM120H140FT1G
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| モデル | APTM120H140FT1G |
|---|---|
| メーカー | Microsemi |
| 説明 | MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $14.45 | |||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | APTM120H140FT1G | メーカー | Microsemi |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 2679 pcs | データシート | Power Products CatalogAPTM120H140FT1G |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 1mA |
| サプライヤデバイスパッケージ | SP1 | シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.68 Ohm @ 7A, 10V | 電力 - 最大 | 208W |
| パッケージング | Bulk | パッケージ/ケース | SP1 |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Chassis Mount |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | メーカーの標準リードタイム | 32 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3812pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 145nC @ 10V | FETタイプ | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET特長 | Standard | ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200V (1.2kV) |
| 詳細な説明 | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1200V (1.2kV) 8A 208W Chassis Mount SP1 | 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A |
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