APTM120H29FG
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| モデル | APTM120H29FG |
|---|---|
| メーカー | Microsemi |
| 説明 | MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 （US $） | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $79.088 | |||||
- 製品仕様
- データシート
Product parameter
| モデル | APTM120H29FG | メーカー | Microsemi |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 410 pcs | データシート | APTM120H29FGPower Products Catalog |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 5mA |
| サプライヤデバイスパッケージ | SP6 | シリーズ | POWER MOS 7® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 348 mOhm @ 17A, 10V | 電力 - 最大 | 780W |
| パッケージング | Bulk | パッケージ/ケース | SP6 |
| 他の名前 | APTM120H29FGMI APTM120H29FGMI-ND |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Chassis Mount | 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム | 32 Weeks | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 10300pF @ 25V | ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 374nC @ 10V |
| FETタイプ | 4 N-Channel (H-Bridge) | FET特長 | Standard |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200V (1.2kV) | 詳細な説明 | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1200V (1.2kV) 34A 780W Chassis Mount SP6 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 34A |
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