APTM120DA56T1G

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| モデル | APTM120DA56T1G |
|---|---|
| メーカー | Microsemi |
| 説明 | MOSFET N-CH 1200V 18A SP1 |
| フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 価格 (US $) | Get a quote | ||||
- 製品仕様
Product parameter
| モデル | APTM120DA56T1G | メーカー | Microsemi |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 1200V 18A SP1 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 株式 | 4333 pcs | データシート | |
| プロダクト | ディスクリート半導体製品 | 同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 2.5mA |
| Vgs(最大) | ±30V | 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SP1 | シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 672 mOhm @ 14A, 10V | 電力消費(最大) | 390W (Tc) |
| パッケージング | Bulk | パッケージ/ケース | SP1 |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Chassis Mount |
| 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 7736pF @ 25V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 300nC @ 10V |
| FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 1200V |
| 詳細な説明 | N-Channel 1200V 18A (Tc) 390W (Tc) Chassis Mount SP1 | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 18A (Tc) |
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